半导体工艺技术
Acmewin 集成等离子、RF、真空、压力控制与设备自动化技术，应用于半导体干式去胶设备及设备升级。
技术概述
Acmewin 将工艺硬件、RF 功率传输、真空控制与自动化集成为设备级解决方案。本页说明各子系统如何协同工作，以支持干式去胶设备平台与升级工程。
ICP 等离子技术
支持可配置的等离子条件，用于光刻胶去除、去残胶、Lite Etch 与等离子清洗工艺开发。
RF 功率传输
协调指定等离子设备配置中的 RF 产生、分配与匹配。
真空与压力控制
支持腔体压力调节、节流阀集成与真空响应评估。
设备自动化
连接 HMI 操作、配方控制、报警历史与工艺监控工作流程。
核心技术架构
半导体等离子工艺平台依赖于子系统的协调运作，而非单一组件。Acmewin 对每项功能进行评审，作为整体设备架构的一部分。
晶圆传送
在装载区、真空接口与工艺区之间传送晶圆。
ICP 等离子源
根据工艺与腔体要求产生等离子条件。
RF 功率传输
协调发生器、分配器和匹配网络的行为。
真空/压力控制
控制腔体压力响应和真空组件集成。
配方和工艺监控
管理工艺设置、趋势、报警历史与设备状态。
晶圆厂集成
审查主机通信和设备数据集成要求。
ICP 等离子源
Acmewin 干式去胶设备平台使用 ICP 等离子技术来支持可配置的等离子密度、工艺均匀性和特定应用工艺开发。
- 13.56 MHz ICP
- 可配置的 RF 功率
- 腔体集成
- 等离子工艺稳定性
- 特定应用工艺评估
RF 与功率传输
稳定的 RF 功率传输须评估发生器能力、分配硬件、匹配特性与等离子负载要求。
RF 发生器集成
RF 发生器方案须根据工艺功率、设备配置与腔体要求进行评估。
RF 功率分配
Acmewin 的 RF 功率分配解决方案支持指定的多负载或双负载等离子系统配置。
RF Matching Network
根据发生器、等离子负载和设备配置来审查 RF 匹配解决方案。
真空与压力控制
真空特性与腔体压力响应会影响工艺重复性及设备集成。Acmewin 会将压力控制组件纳入整机配置评估。
压力控制
可配置的腔体压力控制与特定工艺压力稳定性评估。
节流阀集成
针对指定真空系统配置，评估节流阀集成与替换方案。
真空系统集成
真空泵、腔体接口与真空响应监控须根据设备配置进行评估。
自动化与晶圆厂集成
自动化功能连接操作员工作流程、配方执行、报警处理与设备数据查看。
配方管理
配方设置与操作流程须根据设备配置及工艺要求进行评估。
工艺趋势监控
趋势与工艺状态查看，有助于在工艺评估期间掌握设备状况。
报警与事件记录
报警与事件信息可支持故障排查、服务处理与维护规划。
晶圆厂通信集成
支持晶圆厂通信与设备数据集成要求。
根据项目范围和设备配置审查 SECS/GEM 或 HSMS 的相关要求。
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