半导体工艺应用
Acmewin 的 Aibo Dry Asher 平台支持半导体制造中的光刻胶去除、去残胶、轻度等离子处理、残留物去除与等离子清洗应用。
应用概述
Aibo Dry Asher 工艺应用须根据晶圆尺寸、材料堆叠、残留物状况与后续工艺要求进行评估。
光刻胶去除
在光刻、离子注入或刻蚀工艺后去除光刻胶与有机物质。
去残胶
在光刻显影后、后续工艺前去除薄层光刻胶残留。
Lite Etch
以受控等离子处理支持轻度表面处理与工艺开发评估。
等离子清洗
支持有机污染物处理与指定工艺残留评估。
光刻胶去除处理后的残留物
各向异性刻蚀和高剂量离子注入可能形成复杂化合物，在传统仅使用氧气的光刻胶灰化处理后仍可能残留。
- 高剂量离子注入后碳化光刻胶
- 多晶硅刻蚀后侧壁聚合物
- 氮化物刻蚀残留物
- 金属刻蚀残留细丝
- 通孔刻蚀后的锥状或冠状残留物
- 传统光刻胶去除后的有机污染
应用细节与工艺参数将根据晶圆结构、材料堆叠与项目要求进行评估。
残留物去除工艺能力
多晶硅刻蚀后
传统光刻胶去除
传统光刻胶去除后仍可能残留侧壁聚合物。
Aibo 残留物去除工艺
参考 SEM 图片显示，经过优化的残留去除工艺后，侧壁聚合物去除情况有所改善。
氮化物刻蚀后
氮化物刻蚀后 SEM 01
氮化物刻蚀后 SEM 02
氮化物刻蚀后残留物去除参考：SEM 图片呈现等离子光刻胶去除与选定后处理后的残留物去除能力。
示例流程：O2 Plasma Strip → 可选的残留去除处理 → DI 清洗。
实际使用的化学配方与工艺设置取决于器件结构、材料堆叠与应用要求。
参考 SEM 图片呈现残留去除能力；实际结果取决于晶圆结构、材料堆叠、工艺顺序与配方配置。
工艺挑战与 Aibo 应对方案
可配置的等离子光刻胶去除与残留去除工艺。
多步骤的光刻胶去除及残留去除能力。
等离子光刻胶去除带可选残留物去除处理。
根据应用需求进行等离子与后处理评估。
应用优势
低损伤等离子工艺
以降低电荷风险为设计方向的等离子架构。
可配置的残留物去除流程
工艺步骤须根据材料堆叠、晶圆结构与应用要求进行评估。
多应用平台
通用平台支持光刻胶去除、去残胶、Lite Etch 与等离子清洗。
工艺监控
配方、趋势、报警与历史功能可支持设备操作及工艺评估。
工艺控制与监控
配方管理
配方工作流程可支持受控工艺设置与操作评估。
工艺趋势监控
趋势画面可支持工艺与设备状态查看。
报警与事件记录
报警与事件信息可支持故障排查及维护规划。
终点监控
终点监控要求须根据工艺范围与系统配置进行评估。
设备状态
设备状态画面可支持操作员工作流程与服务处理。
应用与平台指南
Aibo I Dry Asher
紧凑型干式去胶设备与旧设备升级方案。
Aibo II Dry Asher
4 英寸至 8 英寸多应用干式去胶设备平台，适用于光刻胶去除、去残胶、Lite Etch 与等离子清洗。
Aibo III Dry Asher
12 英寸三工艺模块概念平台。Conceptual Design / 3D Layout Rendering。
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