半導體製程應用
Acmewin 的 Aibo Dry Asher 平台支援半導體製造中的光阻去除、去殘膠、輕度電漿處理、殘留物去除與電漿清潔應用。
應用製程概述
Aibo Dry Asher 製程應用須依晶圓尺寸、材料堆疊、殘留物狀況與後段製程需求進行評估。
光阻去除
在微影、離子植入或蝕刻製程後去除光阻與有機物質。
去殘膠
在微影顯影後、後續製程前去除薄層光阻殘留。
Lite Etch
以受控電漿處理支援輕度表面處理與製程開發評估。
電漿清潔
支援有機污染物處理與指定製程殘留評估。
光阻去除製程後的殘留物
非等向性蝕刻與高劑量離子植入可能形成複雜化合物，在傳統僅使用氧氣的光阻灰化處理後仍可能殘留。
- 高劑量離子植入後碳化光阻
- 多晶矽蝕刻後側壁聚合物
- 氮化物蝕刻殘留物
- 金屬蝕刻殘留細絲
- 通孔蝕刻後的錐狀或冠狀殘留物
- 傳統光阻去除後的有機污染物
應用細節與製程參數會依晶圓結構、材料堆疊與專案需求進行評估。
殘留物去除處理能力
多晶矽蝕刻後
傳統的光阻去除
傳統光阻去除後仍可能殘留側壁聚合物。
Aibo 殘留物去除處理
參考 SEM 圖片顯示，經最佳化殘留去除製程後，側壁聚合物去除情形有所改善。
氮化物蝕刻後
氮化物蝕刻後 SEM 01
氮化物蝕刻後 SEM 02
氮化物蝕刻後殘留物去除參考：SEM 圖片呈現電漿光阻去除與選定後處理後的殘留物去除能力。
範例流程：O2 Plasma Strip → 選配的殘留去除處理 → DI 清洗。
實際使用的化學配方與製程設定取決於元件結構、材料堆疊與應用需求。
參考 SEM 圖片呈現殘留去除能力；實際結果取決於晶圓結構、材料堆疊、製程順序與配方配置。
製程挑戰與 Aibo 對應方案
可配置的電漿光阻去除與殘留去除製程。
多步驟光阻去除及殘留清除能力。
電漿光阻去除帶有可選的殘留去除處理。
依應用需求進行電漿與後處理評估。
應用優勢
低損傷電漿製程
以降低電荷風險為設計方向的電漿架構。
可配置的殘留物去除流程
製程步驟須依材料堆疊、晶圓結構與應用需求進行評估。
多應用平台
共用平台支援光阻去除、去殘膠、Lite Etch 與電漿清潔。
製程監控
配方、趨勢、警報與歷史功能可支援設備操作及製程評估。
製程控制與監控
配方管理
配方工作流程可支援受控製程設定與操作評估。
製程趨勢監控
趨勢畫面可支援製程與設備狀態檢視。
警報與事件歷史
警報與事件資訊可支援故障排除及維護規劃。
終點監控
終點監控需求須依製程範圍與系統配置進行評估。
設備狀態
設備狀態畫面可支援操作員工作流程與服務處理。
應用至平台指南
Aibo I Dry Asher
精簡型乾式去光阻設備與舊有設備升級方案。
Aibo II Dry Asher
4 吋至 8 吋多應用乾式去光阻設備平台，適用於光阻去除、去殘膠、Lite Etch 與電漿清潔。
Aibo III Dry Asher
12 吋三製程模組概念平台。Conceptual Design / 3D Layout Rendering。
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